МОДЕЛИРОВАНИЕ МОП ТРАНЗИСТОРА СО ВСТРОЕННЫМ КАНАЛОМ, ИЗГОТОВЛЕННОГО С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ДИФФУЗИИ ФОСФОРА В КРЕМНИЙ ИЗ ФОСФОРНЫХ АНОДНЫХ ОКСИДНЫХ ПЛЕНОК

Alexander Vladimirovich Makharinets, Leonid Petrovich Mileshko


Аннотация


Currently, there is not enough information in literature about MOS transistors with built n-type channel simulation. The article suggests a model of MOSFET with integrated n- type channel, prepared by using phosphorus diffusion in silicon from phosphoric anodic oxide films, based on threshold voltage. Model parameters were calculated for the specific case - capacitance of gate dielectric, transconductance, drain current. It is shown that this model even in a simplified form gives a sufficient agreement with experimental data.

Ключевые слова


МОДЕЛИРОВАНИЕ; МОП ТРАНЗИСТОР; ПОДЗАТВОРНЫЙ ДИЭЛЕКТРИК; АНОДНЫЕ ОКСИДНЫЕ ПЛЕНКИ

Литература


Милешко Л.П. Анодное электролитическое легирование термических оксидных пленок кремния//ФХОМ. -2002. -№6. -С. 55-59.

Милешко Л.П., Авдеев С.П. Реанодирование анодных оксидных пленок в легирующих электролитах//ФХОМ. -2004. -№4. -С.61-63.

Милешко Л.П., Авдеев С.П. Влияние процесса анодного окисления кремния на параметры диффузии примесей бора и фосфора из легированных оксидных пленок//Известия вузов. Электроника. -2004. -№5. -С. 25-32.

Foly D.P. MOSFET modeling with SPICE: principles and practice. Prentice Hall PTR, NJ, 1997. -P. 653.

McAndrew C.C., Bhattachatyya B.K., Wang O.A. C-continuous depletion capacitance model//IEEE Trans. Com-puted-Aided Design. -1993. -Vol. CAD -12, June. -P. 825-828.

Antognetli P., Massobrio G. (Eds.) Semiconductor Device Modeling with SPICE. -New York: McGraw-Hill, 1987.

Гергель В.А., Марасаное А.В., Орешкин Г.И. Простая аналитическая модель короткоканального МОП-транзистора для численного моделирования схемотехнических задач//Микроэлектроника -1989. -Т. 18, вып. 2. -С. 162-165.

Соловьев, А. К. Проектирование БИС в КМОП базисе: Учебное пособие по курсу "Проектирование БИС", по направлению "Электроника и микроэлектроника"/А. К. Соловьев, Моск. энерг. ин-т (МЭИ ТУ). -М.: Изд-во МЭИ, 2003. -108 с.

Tsividis Y.P., Suyama K. MOSFET modeling for analog circuit CAD: Problems and prospects //IEEE Journal of Solid-State Circuits, 1994. -V. 34. -№ 3. -P. 210-216.

Денисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для микро-и наноэлектроники . -М.: ФИЗМАТЛИТ, 2010. -408 с.

McAndrew C.C. Practical modeling for circuit simulation //IEEE Journal of Solid-State Circuits, 1998. -V. 34. -№ 3. -P. 439-448.

Бирюков В.Н. Диагностика моделей барьерной емкости диода //Радиотехника и Электроника, 2009. -Т. 54. -№ 9. -С. 1144-1148.

Бирюков В.Н. Четырехпараметрическая компактная модель полевого транзистора с коротким каналом //Нанотехнологии-2010. Тр. международной научно-технической конференции. Ч. 2. -Таганрог: Изд-во ТТИ ЮФУ, 2010. -С. 114-115.

Бирюков В.Н., Пилипенко А.М. Диагностика статических моделей диода //Радиотехника и Электроника, 2009. -Т. 54. -№ 5. -С. 604-610.

Бирюков В.Н., Пилипенко А.М. Исследование трехпараметрической модели высокочастотного полевого транзистора //Изв. вузов. Электроника, 2003. -№ 6. -С. 22-26.

Bourenkov V., McCarthy K.G., Mathewson A. A. A Hybrid Table/Analytical Approach to MOSFET modeling //Proceedings of International Conference on Microelectronic Test Structures. -Monterey, CA, 2003. -P. 142-147.

Пилипенко А.М., Бирюков В.Н. Исследование параметров полевых транзисторов с изолированным затвором при низких температурах //Успехи современной радиоэлектроники, 2011. -№ 9. -С. 66-70.

Валиев К.А. Цифровые интегральные схемы на МДП-транзисторах/Карамзинский А.И., Королев М.А. -Советское радио, 1971. -384 с.

Бочаров Л.Н. Полевые транзисторы/Л.Н. Бочаров -М.: Энергия, 1976. -80 с.

Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1. Пер. с англ. -2-е перераб. И доп. изд. -М.: Мир, 1984. -456 с.

Свистова Т.В. Твердотельная электроника: учеб. пособие/Т.В. Свистова. Воронеж: ГОУВПО "Воронежский государственный технический университет", 2006. Ч. 2. 173 с.

Бордаков Е.В. Методические указания к выполнения лабораторных работ по дисциплине «Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и интегральных схем»/Бордаков Е.В., Пантелеев В.И. -Воронеж, ВГТУ, 2005. -45с.




DOI: https://doi.org/10.12731/wsd-2014-12.1-15

Ссылки

  • На текущий момент ссылки отсутствуют.


Bookmark and Share


(c) 2016 В мире научных открытий



ISSN 2658-6649 (print)

ISSN 2658-6657 (online)

HotLog Яндекс цитирования